智能手机、人工智能芯片、5G通信设备……这些高科技产品的诞生，离不开一项“隐形”技术——金属蚀刻。它在微观尺度上的精确控制，构筑了现代电子工业的根基。

‌纳米级精度的制造密码‌

以半导体芯片为例，其内部集成了数十亿个晶体管，每个结构的宽度仅相当于头发丝的万分之一。通过等离子体干蚀刻技术，工程师能在硅片上雕刻出复杂的立体电路。这种工艺利用高能离子束轰击材料表面，逐层剥离未被光刻胶保护的区域，精度可达原子级别。

‌突破材料极限的创新‌

随着第三代半导体材料（如碳化硅、氮化镓）的兴起，传统机械加工难以应对其超高硬度。蚀刻技术通过调整气体配方（如六氟化硫与氧气的混合），实现对这些材料的定向刻蚀，满足高温、高频电子元件的加工需求。

‌行业挑战与解决方案‌

当前，3D堆叠芯片的兴起对蚀刻的深宽比提出更高要求。深反应离子蚀刻（DRIE）技术采用脉冲式刻蚀与钝化交替进行，可在硅片上打出深度超过100微米、侧壁垂直度达89°的微孔，为存储器和传感器的三维集成铺平道路。