微机电系统（MEMS）将机械结构与电子电路集成于微小尺度，蚀刻工艺通过各向异性控制与材料兼容性设计，成为MEMS器件制造的核心技术。

硅基加速度计的质量块与悬臂梁结构需通过深度反应离子蚀刻（DRIE）实现。工艺交替进行蚀刻与钝化步骤：氟基气体在等离子体状态下轰击硅表面实现垂直刻蚀，随后通入含碳气体形成侧壁保护层。这种“博世工艺”可加工出深宽比超过50:1的腔体结构，同时保持侧壁近90度的垂直度，确保可动部件的机械灵敏度。

压电MEMS器件的制造对工艺提出更高要求。氮化铝或锆钛酸铅（PZT）薄膜的蚀刻需采用低损伤工艺，氩离子束辅助物理轰击可精确移除材料，避免化学蚀刻导致的晶格损伤。工艺过程中需严格控制离子能量与入射角度，以维持压电系数与介电常数的稳定性。

微流控芯片的加工则体现湿法蚀刻与材料选择的协同。玻璃基板通过氢氟酸溶液腐蚀形成微米级流道，蚀刻速率与表面粗糙度的平衡直接影响流体的流动特性。聚合物材料（如PDMS）的蚀刻需采用氧等离子体处理，通过氧化反应实现微结构的精准成形。此类芯片在生物检测、药物筛选等领域展现出高效性与低成本优势。